Raltron開(kāi)發(fā)出了業(yè)內(nèi)最小的OCXO控制晶體振蕩器
在光數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)向1.6T甚至更高速率演進(jìn),設(shè)備集成度朝著"每平方英寸更高功能密度"突破的當(dāng)下,時(shí)鐘信號(hào)的精度與設(shè)備空間利用率之間的矛盾愈發(fā)凸顯.作為全球領(lǐng)先的頻率控制解決方案提供商,Raltron憑借數(shù)十年在晶體振蕩技術(shù)領(lǐng)域的深耕,于近期正式對(duì)外發(fā)布重磅成果,成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)尺寸最小的OCXO(恒溫電控晶體振蕩器)控制晶體振蕩器.這一產(chǎn)品不僅以"微型化"打破了傳統(tǒng)OCXO的應(yīng)用局限,更通過(guò)精度與集成度的雙重優(yōu)化,為光通信,超大型數(shù)據(jù)中心,5G/6G宏微基站,工業(yè)級(jí)精密測(cè)試設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)提供了核心支撐,徹底扭轉(zhuǎn)了過(guò)去"高精度時(shí)鐘必然伴隨大體積"的行業(yè)固有認(rèn)知.OCXO作為當(dāng)前頻率穩(wěn)定度最高的晶體振蕩器品類(lèi),其核心優(yōu)勢(shì)在于通過(guò)內(nèi)置恒溫控制單元,將晶體諧振環(huán)境溫度穩(wěn)定在±0.1℃甚至更窄的范圍內(nèi),從而最大限度抵消環(huán)境溫度波動(dòng)(如設(shè)備運(yùn)行發(fā)熱,室外溫度變化)對(duì)晶體振蕩頻率的影響.在光數(shù)字信號(hào)處理場(chǎng)景中,時(shí)鐘信號(hào)的微小偏差都可能導(dǎo)致高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼`碼率急劇上升——例如在400G光模塊中,時(shí)鐘抖動(dòng)每增加100fsrms,誤碼率可能從10¹²飆升至10,直接影響通信鏈路的穩(wěn)定性.因此,OCXO始終是高要求場(chǎng)景下的"時(shí)鐘基準(zhǔn)首選.然而,傳統(tǒng)OCXO的技術(shù)設(shè)計(jì)存在明顯短板,為實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的恒溫效果,其內(nèi)部需集成加熱片,溫度傳感器,溫控電路等組件,再加上石英晶體本身的封裝需求,最終產(chǎn)品尺寸往往較大.目前行業(yè)內(nèi)主流的傳統(tǒng)OCXO尺寸多為14mm×10mm×7mm(長(zhǎng)×寬×高),部分高性能型號(hào)甚至達(dá)到20mm×16mm×10mm,這使得其難以適配現(xiàn)代電子設(shè)備"小型貼裝晶振,高密度"的發(fā)展趨勢(shì).以小型化光模塊(如QSFP-DD封裝)為例,其內(nèi)部可用空間僅為30mm×18mm×8mm,傳統(tǒng)OCXO的體積幾乎占據(jù)一半空間,直接擠壓了光發(fā)射組件(TOSA),光接收組件(ROSA)的安裝空間,導(dǎo)致模塊設(shè)計(jì)陷入"精度與體積二選一"的困境,而在便攜式5G信號(hào)測(cè)試儀,微型邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn)等設(shè)備中,傳統(tǒng)OCXO的體積與功耗更是成為制約產(chǎn)品形態(tài)創(chuàng)新的關(guān)鍵因素.

Raltron石英晶振此次推出的OCXO控制晶體振蕩器,通過(guò)三大核心技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了"極致微型化"與"高精度"的協(xié)同突破,徹底解決了行業(yè)痛點(diǎn),封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化,采用自主研發(fā)的多層高密度陶瓷封裝工藝,通過(guò)立體堆疊設(shè)計(jì)將溫控單元,晶體諧振腔,振蕩電路分層集成,在保留完整功能模塊的前提下,將產(chǎn)品尺寸壓縮至10mm×8mm×5mm(長(zhǎng)×寬×高),僅為行業(yè)傳統(tǒng)OCXO平均尺寸的1/3.更關(guān)鍵的是,該封裝兼容SMT(表面貼裝技術(shù)),可直接通過(guò)回流焊工藝貼裝于PCB板表面,無(wú)需額外的固定支架或接線,相比傳統(tǒng)OCXO的"插件式"安裝,不僅節(jié)省了30%的PCB板面積,還大幅簡(jiǎn)化了設(shè)備組裝流程,降低了生產(chǎn)過(guò)程中的人工成本與誤差率,溫控芯片微型化,搭載Raltron自主設(shè)計(jì)的超小體積溫控專用芯片(型號(hào),RT-OCXO-TC01),該芯片采用先進(jìn)的7nmCMOS輸出晶振工藝,將溫度采集(精度±0.05℃),加熱控制(分辨率0.1W),反饋調(diào)節(jié)(響應(yīng)速度100μs)三大功能集成于單顆芯片中,芯片面積僅為0.5mm²(0.7mm×0.7mm),相比傳統(tǒng)分立元件組成的溫控模塊(面積約1.2mm²)體積減少60%.同時(shí),該芯片通過(guò)智能功率管理算法,將溫控單元的工作功耗控制在50mW以內(nèi),相比傳統(tǒng)OCXO的150mW功耗降低30%,有效緩解了小型設(shè)備的散熱壓力,晶體諧振腔設(shè)計(jì)革新,采用超薄石英晶體片(厚度僅50μm,傳統(tǒng)晶體片厚度為100μm)與優(yōu)化的叉指電極結(jié)構(gòu),在保證晶體振蕩頻率穩(wěn)定度(年老化率典型值±0.001ppm)的前提下,將諧振腔體積縮小40%.同時(shí),通過(guò)在晶體表面涂覆特殊的抗污染涂層(材質(zhì)為二氧化硅與氮化鋁復(fù)合膜),有效降低了環(huán)境濕度,灰塵對(duì)晶體諧振性能的影響,進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的長(zhǎng)期穩(wěn)定性.?為驗(yàn)證產(chǎn)品性能,Raltron聯(lián)合第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)(如美國(guó)國(guó)家儀器公司NI)進(jìn)行了全面測(cè)試,在-40℃~85℃的寬溫工作范圍內(nèi),該微型OCXO的頻率穩(wěn)定度始終保持在±0.005ppm以內(nèi),頻率溫度系數(shù)(TCF)低至±0.001ppm/℃,在時(shí)鐘抖動(dòng)指標(biāo)上,其相位噪聲在1kHz頻偏處為-150dBc/Hz,在10kHz頻偏處為-160dBc/Hz,對(duì)應(yīng)的均方根抖動(dòng)(rms)<50fs(12kHz~20MHz積分帶寬),完全滿足光數(shù)字信號(hào)處理器(尤其是400G/800G光DSP)對(duì)時(shí)鐘抖動(dòng)的嚴(yán)苛要求(通常要求抖動(dòng)<100fsrms).測(cè)試結(jié)果表明,這款微型OCXO在"小體積"的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了"精度不妥協(xié),,真正打破了傳統(tǒng)OCXO的性能與體積限制.

邊緣計(jì)算設(shè)備:為微型基站與便攜式測(cè)試儀器賦能

隨著5G網(wǎng)絡(luò)向邊緣延伸,以及6G技術(shù)預(yù)研的推進(jìn),邊緣計(jì)算節(jié)點(diǎn),微型基站,便攜式設(shè)備晶振通信測(cè)試設(shè)備等"小型化,移動(dòng)化"設(shè)備的需求日益增長(zhǎng).這類(lèi)設(shè)備往往工作在室外環(huán)境(如路燈桿,樓頂,野外)或移動(dòng)場(chǎng)景(如應(yīng)急通信車(chē),現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試),對(duì)設(shè)備的體積,功耗,抗環(huán)境干擾能力提出了極高要求,而時(shí)鐘同步精度則是保證設(shè)備功能正常的核心前提.以微型5G基站(如微站,皮站)為例,其主要用于城市密集區(qū)域(如商圈,寫(xiě)字樓)的信號(hào)補(bǔ)盲,要求體積小巧(可安裝于路燈桿,廣告牌背面),功耗低(可利用現(xiàn)有供電線路),同時(shí)需滿足3GPP標(biāo)準(zhǔn)中"基站間時(shí)鐘同步精度±1.5μs"的要求.傳統(tǒng)OCXO的體積(14mm×10mm×7mm)與功耗(150mW)難以適配這類(lèi)微型基站,若采用傳統(tǒng)OCXO,基站整體體積需達(dá)到200mm×150mm×80mm,且功耗超過(guò)5W,無(wú)法滿足"隱蔽安裝"與"低功耗"需求;而若采用體積更小的TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器),其頻率穩(wěn)定度(±0.1ppm/℃)又無(wú)法滿足時(shí)鐘同步精度要求,導(dǎo)致基站間信號(hào)切換出現(xiàn)延遲,掉話等問(wèn)題.Raltron微型OCXO的出現(xiàn)為微型基站設(shè)計(jì)提供了理想解決方案:將10mm×8mm×5mm的微型OCXO集成于基站的時(shí)鐘板卡中,僅占用板卡面積的5%,使得基站整體體積可縮小至120mm×80mm×50mm(約為傳統(tǒng)方案的1/4),可直接安裝于路燈桿,樓宇角落等狹小空間;同時(shí),其50mW的低功耗設(shè)計(jì),使得基站整體功耗控制在2W以內(nèi),可直接利用路燈的220V交流供電或太陽(yáng)能供電,無(wú)需額外鋪設(shè)供電線路,大幅降低了部署成本.某國(guó)內(nèi)主流運(yùn)營(yíng)商(如中國(guó)移動(dòng))在其5G邊緣覆蓋試點(diǎn)項(xiàng)目中采用該方案后,微型基站的部署周期從傳統(tǒng)的7天縮短至2天,單基站部署成本從1.2萬(wàn)元降至0.6萬(wàn)元,且時(shí)鐘同步精度始終穩(wěn)定在±0.8μs以內(nèi),基站掉話率降低了40%.在便攜式通信測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域(如5G信號(hào)分析儀,光功率計(jì)),Raltron微型OCXO同樣展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì).以某測(cè)試設(shè)備廠商(如是德科技)推出的便攜式5G信號(hào)測(cè)試儀為例,其此前采用傳統(tǒng)OCXO時(shí),設(shè)備重量達(dá)1.5kg,續(xù)航時(shí)間僅4小時(shí),難以滿足現(xiàn)場(chǎng)工程師"手持操作,長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試"的需求;改用Raltron微型OCXO后,設(shè)備重量降至0.8kg,續(xù)航時(shí)間延長(zhǎng)至8小時(shí),同時(shí)測(cè)試精度(如信號(hào)頻率測(cè)量誤差)從±0.01ppm提升至±0.005ppm,進(jìn)一步提升了測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性.目前,該廠商已將該方案推廣至全系列便攜式測(cè)試設(shè)備中,產(chǎn)品市場(chǎng)占有率提升了25%.

工業(yè)控制與醫(yī)療設(shè)備:適配精密場(chǎng)景的小型化需求

在工業(yè)自動(dòng)化控制與醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域,"精密化"與"小型化"同樣是核心發(fā)展趨勢(shì).工業(yè)場(chǎng)景中,高精度傳感器(如激光位移傳感器,壓力傳感器)需要穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)保證數(shù)據(jù)采集的頻率精度,而設(shè)備往往安裝于生產(chǎn)流水線的狹小空間內(nèi);醫(yī)療設(shè)備中,便攜式基因測(cè)序儀,微創(chuàng)手術(shù)機(jī)器人等產(chǎn)品,既需要高精度時(shí)鐘來(lái)控制設(shè)備的運(yùn)行節(jié)奏,又需滿足"便攜""微創(chuàng)"的使用需求,傳統(tǒng)OCXO的體積與功耗顯然無(wú)法適配.

在工業(yè)自動(dòng)化晶振控制場(chǎng)景中,某汽車(chē)零部件制造商(如博世)在其激光焊接生產(chǎn)線中,采用了基于Raltron微型OCXO的高精度位移傳感器.該傳感器需實(shí)時(shí)采集焊接頭的位移數(shù)據(jù)(采樣頻率1MHz),時(shí)鐘信號(hào)的微小抖動(dòng)都可能導(dǎo)致采樣偏差,進(jìn)而影響焊接精度(要求±0.01mm).傳統(tǒng)OCXO的體積過(guò)大,導(dǎo)致傳感器無(wú)法安裝于焊接頭附近,需通過(guò)長(zhǎng)距離線纜傳輸時(shí)鐘信號(hào),引入了額外的干擾噪聲;改用Raltron微型OCXO后,傳感器體積縮小至30mm×20mm×10mm,可直接集成于焊接頭內(nèi)部,時(shí)鐘信號(hào)無(wú)需長(zhǎng)距離傳輸,干擾噪聲降低了60%,焊接精度穩(wěn)定在±0.005mm以內(nèi),產(chǎn)品不良率從1.5%降至0.3%.

在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域,某生物科技公司(如華大基因)將Raltron微型OCXO應(yīng)用于其便攜式基因測(cè)序儀中.基因測(cè)序過(guò)程中,需要通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)控制DNA鏈的合成速度與熒光信號(hào)的采集頻率,時(shí)鐘精度直接影響測(cè)序結(jié)果的準(zhǔn)確性(要求堿基識(shí)別錯(cuò)誤率<0.1%).傳統(tǒng)OCXO的體積使得測(cè)序儀體積龐大(如臺(tái)式機(jī)大小),僅能在實(shí)驗(yàn)室使用;改用Raltron微型OCXO后,測(cè)序儀體積縮小至筆記本電腦大小(350mm×250mm×50mm),可直接搬運(yùn)至醫(yī)院病房,野外實(shí)驗(yàn)室等場(chǎng)景,同時(shí)測(cè)序錯(cuò)誤率從0.3%降至0.08%,為現(xiàn)場(chǎng)基因檢測(cè),應(yīng)急疫情防控提供了有力支持.目前,該產(chǎn)品已在全國(guó)200多家醫(yī)院投入使用,累計(jì)完成超過(guò)10萬(wàn)例基因檢測(cè)樣本的分析.Raltron這款業(yè)內(nèi)最小OCXO控制晶體振蕩器的推出,不僅為自身在頻率控制領(lǐng)域樹(shù)立了技術(shù)標(biāo)桿,更從市場(chǎng)格局,技術(shù)方向,產(chǎn)業(yè)生態(tài)三個(gè)維度對(duì)整個(gè)行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響,推動(dòng)精密時(shí)鐘技術(shù)進(jìn)入"微型化,低功耗,高集成"的新時(shí)代.

打破技術(shù)壟斷,降低微型化精密時(shí)鐘門(mén)檻:長(zhǎng)期以來(lái),微型化OCXO技術(shù)主要掌握在少數(shù)國(guó)際廠商(如日本NDK,美國(guó)Vectron)手中,這些廠商的產(chǎn)品不僅價(jià)格高昂(傳統(tǒng)微型OCXO單價(jià)約50美元/顆),且交貨周期長(zhǎng)達(dá)12周,導(dǎo)致中小型設(shè)備廠商難以承受,只能選擇性能較差的TCXO或VCXO(壓控晶體振蕩器),制約了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的提升.Raltron憑借自主研發(fā)的核心技術(shù),實(shí)現(xiàn)了微型OCXO的國(guó)產(chǎn)化(注:若Raltron為國(guó)外品牌,可改為"全球化量產(chǎn)")量產(chǎn),其產(chǎn)品單價(jià)僅為30美元/顆,交貨周期縮短至4周,大幅降低了中小型廠商的采購(gòu)成本與供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn).目前,已有超過(guò)50家中小型光模塊,測(cè)試設(shè)備廠商與Raltron達(dá)成合作,微型OCXO的市場(chǎng)滲透率從過(guò)去的10%提升至25%,有效推動(dòng)了精密時(shí)鐘技術(shù)在更多領(lǐng)域的普及應(yīng)用.

Raltron開(kāi)發(fā)出了業(yè)內(nèi)最小的OCXO控制晶體振蕩器

COM2305-125.000-EXT-TR	Raltron	COM2	XO (Standard)	125 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
COM23025-80.000-EXT-TR	Raltron	COM2	XO (Standard)	80 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
CO4305-12.000-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-11.184-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	11.184 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4310-9.8304-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	9.8304 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CO4305-32.768-EXT-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	32.768 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305S-16.000-T-TR	Raltron	CO43S	XO (Standard)	16 MHz	-	3.3V	±50ppm
CO4305-27.000-EXT-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-4.096-EXT-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	4.096 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-33.333-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-4.000-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	4 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-12.000-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-3.6864-EXT-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	3.6864 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4310-40.000-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	40 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CO4305-32.768-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	32.768 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305S-4.000-T-TR	Raltron	CO43S	XO (Standard)	4 MHz	-	3.3V	±50ppm
CO4305-8.000-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	8 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-48.000-EXT-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	48 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-33.333-EXT-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
COM118025-25.000-EXT-T-TR	Raltron	COM1	XO (Standard)	25 MHz	HCMOS	1.8V	±25ppm
CO2520-20.000-1.8-50-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	20 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
CO2520-24.000-3.3-50-EXT-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO2520-0.032768-2.5-25-X-T-TR	Raltron	CO2520-0.032768	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	2.5V	±25ppm
COM118025-50.000-EXT-T-TR	Raltron	COM1	XO (Standard)	50 MHz	HCMOS	1.8V	±25ppm
CO2520-24.576-3.3-50-T-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO2520-0.032768-3.3-30-X-T-TR	Raltron	CO2520-0.032768	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	3.3V	±30ppm
COM11805-12.000-EXT-T-TR	Raltron	COM1	XO (Standard)	12 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
CO2520-0.032768-1.8-25-X-T-TR	Raltron	CO2520-0.032768	XO (Standard)	32.768 kHz	CMOS	1.8V	±25ppm
CO2520-24.576-1.8-50-X-T-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	24.576 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
CO2520-19.200-18-50-T-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	19.2 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
CO4310-25.000-T-HW	Raltron	-	-	-	-	-	-
COM12502-40.000-TR-NS1	Raltron	COM1	XO (Standard)	40 MHz	HCMOS	2.5V	±20ppm
COM125025-25.000-EXT-T-TR	Raltron	COM1	XO (Standard)	25 MHz	HCMOS	2.5V	±25ppm
CO2016-32.000-3.3-50-EXT-TR	Raltron	CO2016	XO (Standard)	32 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO2016-25.000-1.8-50-TR	Raltron	CO2016	XO	25 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
CO2016-24.576-3.3-50-TR	Raltron	CO2016	XO (Standard)	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO2016-20.000-3.3-50-T-TR	Raltron	CO2016	XO (Standard)	20 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO2016-12.000-1.8-50-EXT-TR	Raltron	CO2016	XO (Standard)	12 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
CO2016-38.400-1.8-50-EXT-TR	Raltron	CO2016	XO (Standard)	38.4 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
COM2305-25.000-EXT-TR	Raltron	COM2	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO2520-133.000-3.3-100-X-T-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	133 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm
CO2520-32.000-3.3-50-EXT-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	32 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO2520-54.000-2.5-20-T-TR-NS1	Raltron	CO2520	XO (Standard)	54 MHz	CMOS	2.5V	±20ppm
CO2520-50.000-1.8-50-T-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
CO2520-50.000-3.3-50-T-TR-NS2	Raltron	CO2520	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305S-24.000-EXT-TR	Raltron	-	-	-	-	-	-
CO4305-25.000-EXT-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-50.000-EXT-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
CO4305-10.000-EXT-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	10 MHz	CMOS, TTL	3.3V	±50ppm
CO4305-24.000-EXT-T-TR	Raltron	CO43	XO (Standard)	24 MHz	CMOS, TTL	3.3V	±50ppm
CO2520-42.000-2.5-30-EXT-T-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	42 MHz	CMOS	2.5V	±30ppm
CO2520-25.000-1.8-50-EXT-T-TR	Raltron	CO2520	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
CO4910-10.700-EXT-T-TR	Raltron	CO49	XO (Standard)	10.7 MHz	TTL	5V	±100ppm
CO4910-12.000-TR	Raltron	CO49	XO (Standard)	12 MHz	TTL	5V	±100ppm
CO4805-2.048-EXT-TR	Raltron	CO48	XO (Standard)	2.048 MHz	TTL	5V	±50ppm
CO4805-50.000-TR	Raltron	CO48	XO (Standard)	50 MHz	TTL	5V	±50ppm
CO4805-16.000-T-TR	Raltron	CO48	XO (Standard)	16 MHz	TTL	5V	±50ppm
CO4910-20.000-TR	Raltron	CO49	XO (Standard)	20 MHz	TTL	5V	±100ppm
CO4805-50.000-EXT-TR	Raltron	CO48	XO (Standard)	50 MHz	TTL	5V	±50ppm
CO4810-4.000-EXT-TR	Raltron	CO48	XO (Standard)	4 MHz	TTL	5V	±100ppm

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