在工業(yè)變頻驅(qū)動,新能源儲能變流,光伏并網(wǎng)逆變,軌道交通牽引動力,大功率工業(yè)UPS,特種車輛動力控制等高端大功率電力電子領(lǐng)域,設備正向高功率密度,小型輕量化,高能效低損耗,高穩(wěn)定免維護方向快速迭代.在此行業(yè)趨勢下,傳統(tǒng)功率方案普遍存在諸多難以突破的技術(shù)瓶頸:功率器件單體密度不足,必須依靠多管并聯(lián)堆疊實現(xiàn)大功率輸出,導致整機BOM物料繁雜,功率回路PCB布局布線難度劇增,設備整體體積臃腫沉重;多器件并聯(lián)架構(gòu)極易引發(fā)均流不均,環(huán)路寄生參數(shù)偏大,開關(guān)震蕩,局部過熱等問題,直接造成系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率下降,運行穩(wěn)定性降低,故障率攀升;同時復雜的硬件結(jié)構(gòu)大幅增加電路設計,程序調(diào)試,生產(chǎn)裝配,品質(zhì)管控與后期運維的綜合成本,嚴重制約大功率電力設備的小型化集成,高效節(jié)能與規(guī)模化量產(chǎn)升級,成為行業(yè)研發(fā)人員長期面臨的核心痛點.

針對大功率電力電子設備輕量化,高密化,低損耗,易集成,高可靠的核心剛需,Microchip(微芯科技)依托數(shù)十年功率半導體研發(fā)積淀與海量工業(yè),新能源,軌道交通項目量產(chǎn)驗證經(jīng)驗,重磅推出全新DualPack3(DP3)IGBT7雙模塊系列.該系列器件采用Microchip晶體振蕩器第七代IGBT先進溝槽柵芯片制程技術(shù),搭配創(chuàng)新一體化雙模塊封裝架構(gòu),徹底實現(xiàn)超高功率密度,超低開關(guān)與導通損耗,極簡系統(tǒng)集成,175℃高溫高可靠運行,強工況適配性五大維度全方位技術(shù)升級.徹底顛覆傳統(tǒng)多器件并聯(lián)堆疊的老舊設計模式,從硬件底層簡化大功率電源,逆變,驅(qū)動系統(tǒng)的拓撲結(jié)構(gòu)與集成流程,大幅降低研發(fā)與量產(chǎn)門檻,助力設備廠商快速完成產(chǎn)品迭代,節(jié)能降本,穩(wěn)定量產(chǎn),提升市場核心競爭力.深圳市金洛鑫電子有限公司作為Microchip微芯科技正規(guī)授權(quán)品牌代理商,深耕功率半導體與精密時序器件配套領(lǐng)域,專注Microchip全系IGBT功率模塊,驅(qū)動芯片,高精度工業(yè)級晶振,主控芯片原裝正品供貨與一體化技術(shù)配套服務,手握原廠穩(wěn)定貨源,完整技術(shù)資料,成熟方案落地經(jīng)驗,可為各大工控,新能源,軌道交通,電力設備廠商提供精準選型,方案優(yōu)化,樣品測試,技術(shù)調(diào)試,批量量產(chǎn)一站式落地服務(咨詢熱線:0755-27837162).

一,行業(yè)痛點:傳統(tǒng)大功率IGBT系統(tǒng)集成的核心瓶頸

目前市面上絕大多數(shù)大功率工業(yè)電源,變頻驅(qū)動,逆變儲能設備,仍普遍沿用傳統(tǒng)IGBT4及前代老舊功率器件,行業(yè)主流擴容方式依舊依賴多顆單管IGBT模塊并聯(lián)堆疊.這種傳統(tǒng)方案在早期低功率,大體積,低能效要求的設備中尚可適配,但在當下高端電力電子設備的嚴苛標準下,暴露出大量結(jié)構(gòu)性短板與性能缺陷.首先,傳統(tǒng)IGBT芯片功率密度偏低,單位體積載流能力有限,設備想要實現(xiàn)大功率,大電流輸出,必須并聯(lián)多顆功率模塊及配套續(xù)流二極管,緩沖電路,均流電路,直接導致整機BOM物料數(shù)量激增,器件采購,倉儲管控,來料檢驗,庫存管理的工作量與成本翻倍,供應鏈管控壓力大幅提升.其次,多模塊并聯(lián)架構(gòu)對硬件設計專業(yè)性要求極高,研發(fā)人員需要反復優(yōu)化PCB功率回路布局,精準匹配線路阻抗,平衡多路均流,分區(qū)規(guī)劃散熱結(jié)構(gòu),研發(fā)調(diào)試周期大幅拉長,且極易出現(xiàn)多路不均流,功率分配失衡,局部熱點集中,高頻開關(guān)震蕩,電磁干擾超標等隱性問題,直接導致系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率衰減,設備發(fā)熱異常,運行故障率大幅攀升.

除此之外,多器件堆疊的硬件架構(gòu)會直接造成設備整機體積龐大,自重冗余嚴重,完全違背當下工業(yè)設備小型化,集成化,輕量化,緊湊型安裝的行業(yè)發(fā)展趨勢,無法適配精密工控機柜,嵌入式大功率電源,輕量化車載晶振動力單元,緊湊型儲能逆變器等場景的安裝適配需求.同時傳統(tǒng)IGBT4器件本身導通損耗與開關(guān)損耗偏高,設備滿負載,長時間連續(xù)運行過程中會產(chǎn)生大量余熱,對整機散熱系統(tǒng)提出極高要求,必須搭配大體積散熱器,大功率散熱風扇,智能溫控保護模塊,進一步增加整機結(jié)構(gòu)復雜度,裝配難度與生產(chǎn)成本.且器件長期處于高溫,高頻,高負載工況下工作,極易出現(xiàn)芯片老化,參數(shù)漂移,性能衰減,內(nèi)阻升高等問題,大幅縮短設備使用壽命,降低整機運行穩(wěn)定性與長期續(xù)航可靠性.多重行業(yè)痛點相互疊加,相互制約,使得整個電力電子行業(yè)亟需一款高功率密度,超低損耗,架構(gòu)極簡,適配性強,高可靠易量產(chǎn)的新一代IGBT功率模塊,徹底解決傳統(tǒng)系統(tǒng)集成復雜,能耗高,體積大,穩(wěn)定性差的難題.

二,Microchip新型IGBT7雙模塊核心產(chǎn)品定位

Microchip全新DualPack3(DP3)IGBT7雙模塊,是品牌針對大功率電力電子場景迭代痛點,基于第七代先進IGBT溝槽柵精細化芯片工藝,載流優(yōu)化架構(gòu)打造的高端大功率功率半導體器件,精準適配工業(yè)大功率變頻驅(qū)動,新能源儲能PCS變流器,光伏并網(wǎng)逆變設備,軌道交通牽引動力系統(tǒng),工業(yè)級大功率UPS不間斷電源,農(nóng)林工程機械特種車輛動力控制系統(tǒng)等大功率,高效率,高連續(xù)負載,高可靠要求的核心場景.該系列產(chǎn)品陣容完善,全系標配六款標準化型號,全面覆蓋1200V,1700V兩大工業(yè)應用晶振,新能源主流高壓等級,電流覆蓋300A–900A超大電流區(qū)間,可精準匹配不同功率段,不同電壓等級的大功率設備設計需求,能夠全方位,無縫替代傳統(tǒng)IGBT4及前代器件的多管并聯(lián)方案,實現(xiàn)設備性能升級與架構(gòu)革新.

該功率模塊采用Microchip創(chuàng)新型半橋拓撲一體化雙模塊集成封裝設計,整機緊湊尺寸僅為152mm×62mm×20mm,在極致壓縮安裝體積,精簡結(jié)構(gòu)空間的前提下,實現(xiàn)單模塊超大功率輸出能力,徹底摒棄傳統(tǒng)方案多模塊并聯(lián)堆疊的冗余設計,單顆模塊即可替代多顆傳統(tǒng)分立IGBT的功率輸出能力.作為行業(yè)主流EconoDUAL™封裝的優(yōu)質(zhì)兼容替代方案,MicrochipIGBT7DP3系列為行業(yè)提供了穩(wěn)定可靠的第二供應鏈選擇,有效破解當前功率半導體行業(yè)供應鏈單一,原廠供貨緊張,采購周期不穩(wěn)定,量產(chǎn)風險高的行業(yè)難題,大幅提升設備廠商項目量產(chǎn)的供應鏈安全性,靈活性與穩(wěn)定性.依托全新IGBT7新一代芯片技術(shù)的全面加持,該系列產(chǎn)品相較于傳統(tǒng)主流IGBT4器件,整體功率損耗大幅降低15%–20%,配合跨越式提升的功率密度,真正實現(xiàn)了小體積,大功率,低損耗,低發(fā)熱,易集成,高可靠,長壽命的全方位性能升級,是當前大功率電力電子系統(tǒng)架構(gòu)升級,產(chǎn)品迭代,降本增效的核心優(yōu)選器件.

三,核心優(yōu)勢:高功率密度賦能極簡系統(tǒng)集成

1.第七代IGBT芯片工藝,功率密度大幅躍升

MicrochipIGBT7雙模塊搭載品牌全新迭代的第七代IGBT芯片架構(gòu)與超精細溝槽柵工藝,深度優(yōu)化芯片內(nèi)部導通結(jié)構(gòu),載流路徑與電場分布,有效降低芯片導通內(nèi)阻與載流損耗,大幅提升單位體積的功率輸出效率,讓器件功率密度相較于前代IGBT4產(chǎn)品實現(xiàn)跨越式升級.憑借先進的芯片架構(gòu)優(yōu)化,該標準化緊湊封裝無需犧牲任何功率輸出性能,單顆IGBT7雙模塊即可完美達成傳統(tǒng)多顆單管IGBT并聯(lián)才能實現(xiàn)的大功率輸出效果,徹底打破傳統(tǒng)功率器件“體積大,功率低,擴容難,損耗高”的行業(yè)桎梏.超高功率密度的核心特性,能夠直接縮減設備功率回路PCB板卡面積,精簡整機機械結(jié)構(gòu)與安裝空間,大幅降低設備自重,全方位助力大功率設備小型化,輕量化,集成化升級,高度適配緊湊型工控設備,嵌入式大功率逆變電源,輕量化車載動力系統(tǒng),小型化儲能設備的極致設計需求.

2.一體化雙模塊架構(gòu),徹底簡化系統(tǒng)集成流程

區(qū)別于傳統(tǒng)分立單管,多模塊并聯(lián)的繁瑣復雜設計,DP3IGBT7系列采用半橋拓撲一體化雙模塊高度集成設計,器件出廠前已完成內(nèi)部功率拓撲整合,回路優(yōu)化與均流匹配,形成標準化成熟功率回路.研發(fā)工程師無需額外設計復雜的多器件并聯(lián)電路,外置均流補償電路,阻抗匹配電路,極大減少硬件開發(fā)工作量.在硬件層面直接精簡功率回路架構(gòu),簡化PCB布局布線邏輯,縮短功率走線長度,有效降低線路寄生電感與寄生電容,從源頭規(guī)避傳統(tǒng)并聯(lián)方案常見的多路不均流,功率失衡,高頻信號干擾,開關(guān)震蕩,波形畸變等頑固問題.同時一體化集成設計大幅精簡整機BOM物料清單,減少功率器件,輔助元器件,連接端子,濾波緩沖器件的使用數(shù)量,極大簡化生產(chǎn)裝配,焊接調(diào)試,品檢驗測流程,顯著縮短項目研發(fā)迭代周期,降低量產(chǎn)工藝難度與不良率,讓大功率電源,逆變,驅(qū)動系統(tǒng)的集成設計更簡單,更高效,更穩(wěn)定,更易量產(chǎn).

3.超低功耗損耗,降本增效兼顧穩(wěn)定性

全新第七代IGBT7芯片經(jīng)過Microchip針對性專項性能優(yōu)化,大幅優(yōu)化芯片導通特性與開關(guān)特性,顯著降低飽和導通壓降VCE(sat),開關(guān)損耗與反向恢復損耗,相較于市場主流IGBT4器件,整體綜合功率損耗最高可降低20%,從芯片底層大幅減少設備運行過程中的無效功耗與發(fā)熱問題,有效降低整機長期工作的溫升壓力與熱積累風險.低功耗晶振與發(fā)熱量,可直接降低整機散熱系統(tǒng)的配置規(guī)格,無需搭載大體積散熱器,高功率散熱風扇與復雜溫控模塊,進一步簡化設備散熱架構(gòu),壓縮整機體積,降低散熱配套物料與生產(chǎn)成本.同時設備長期滿負載運行溫升更低,溫度穩(wěn)定性更強,有效延緩功率芯片,周邊元器件的老化速度,大幅延長設備整體使用壽命,顯著降低后期故障概率,運維成本與停機損失,全方位提升大功率電力設備的運行能效,穩(wěn)定性與綜合性價比.

4.175℃高溫過載能力,適配嚴苛工況

該系列IGBT7雙模塊擁有業(yè)界強悍的高溫耐受與過載能力,支持175℃長期持續(xù)高溫過載穩(wěn)定運行,在極限高溫工況下,器件導通壓降,開關(guān)速度,載流能力,漏電流等核心參數(shù)穩(wěn)定性極強,無明顯性能衰減,參數(shù)漂移與失效隱患.可完美適配工業(yè)車間長期高溫作業(yè),戶外新能源設備夏季暴曬高溫,密閉電控艙室積溫偏高,軌道交通設備持續(xù)高負載運行,工程機械長時間滿負荷工作等各類嚴苛復雜工況,徹底解決傳統(tǒng)功率模塊高溫性能暴跌,過載能力弱,穩(wěn)定性差,易熱擊穿失效的行業(yè)痛點.優(yōu)異的高溫可靠性與工況適配性,讓設備無需設計過度冗余的散熱與功率防護架構(gòu),即可滿足長時間滿負荷,高過載,不間斷運行需求,進一步簡化系統(tǒng)冗余設計,提升設備環(huán)境適配能力與全天候運行穩(wěn)定性.

5.標準化通用封裝,兼容性強,易量產(chǎn)落地

DP3IGBT7雙模塊采用行業(yè)通用標準化封裝規(guī)格,引腳定義,機械安裝尺寸,電氣接口,裝配工藝完全兼容行業(yè)主流EconoDUAL™封裝器件,具備極強的通用性與替換性.設備廠商舊款存量產(chǎn)品可直接引腳對引腳無縫替換升級,無需進行硬件改版,模具改造,PCB重新布局與工藝適配,大幅降低產(chǎn)品升級的改造成本與試錯風險;新款研發(fā)項目可直接快速選型落地,縮短研發(fā)周期.同時該系列產(chǎn)品為成熟標準化量產(chǎn)器件,批量參數(shù)一致性高,良品率優(yōu)異,性能穩(wěn)定性強,搭配Microchip完善的全球供貨體系,可完美適配客戶樣品研發(fā),小批量試產(chǎn),中批量迭代,大批量標準化量產(chǎn)的全階段需求,有效規(guī)避量產(chǎn)斷貨,品質(zhì)參差問題,大幅降低企業(yè)產(chǎn)品迭代與量產(chǎn)風險.

6.完善保護機制,提升系統(tǒng)安全冗余

模塊內(nèi)置完善的硬件級過流保護,過溫保護,過壓鉗位保護,短路防護機制,搭配Microchip全系配套的功率驅(qū)動芯片,隔離驅(qū)動方案,可實現(xiàn)電路故障實時監(jiān)測,極速信號響應,安全關(guān)斷保護,能夠在微秒級時間內(nèi)鎖定故障狀態(tài),有效規(guī)避大功率工況下的器件擊穿,電路短路,電弧放電,設備燒毀等重大風險.極簡的一體化集成架構(gòu)搭配全方位安全防護體系,讓整套功率系統(tǒng)不僅集成更簡單,體積更小巧,功耗更低,同時系統(tǒng)安全性,故障容錯性,電磁抗干擾性全面升級,可充分滿足工業(yè)變頻,新能源逆變,軌道交通,特種動力等關(guān)鍵型大功率設備的不間斷,零故障,高安全運行需求.

四,核心應用場景

憑借跨越式超高功率密度,一體化極簡集成架構(gòu),行業(yè)領(lǐng)先超低功耗損耗,175℃耐高溫晶振高可靠運行,標準化通用易量產(chǎn),全方位安全防護的多維核心優(yōu)勢,Microchip新型IGBT7雙模塊徹底補齊傳統(tǒng)大功率功率器件的性能短板與設計缺陷,全面覆蓋工業(yè),新能源,軌道交通,特種裝備等各類大功率電力電子核心應用場景,成為新一代高效節(jié)能,小型輕量化,高穩(wěn)定易量產(chǎn)大功率設備的核心標配功率器件,為行業(yè)產(chǎn)品升級提供強有力的硬件支撐.

1.工業(yè)變頻驅(qū)動設備:廣泛適配大功率工業(yè)變頻器,高端伺服驅(qū)動器,高精度電機調(diào)速控制系統(tǒng),工業(yè)自動化動力驅(qū)動單元.通過高密低耗,極簡集成的優(yōu)勢,大幅簡化驅(qū)動電源架構(gòu),降低設備整體溫升,抑制高頻開關(guān)干擾,提升變頻控制精度與運行能效,助力傳統(tǒng)工業(yè)驅(qū)動設備節(jié)能降耗,小型化升級,穩(wěn)定性提質(zhì).

2.新能源儲能與光伏逆變系統(tǒng):核心應用于大功率光伏并網(wǎng)逆變器,儲能變流器(PCS),分布式新能源儲能電源,光儲一體化設備.依托超高功率密度特性大幅縮減逆變設備體積重量,憑借超低損耗優(yōu)勢提升光電轉(zhuǎn)換,儲能充放電轉(zhuǎn)換效率,適配新能源設備小型化,高效化,低能耗,高壽命的行業(yè)迭代趨勢,助力新能源設備降本增效.

3.大功率UPS電源:專為工業(yè)級大功率不間斷電源,數(shù)據(jù)中心機房后備電源,基站應急供電設備,工業(yè)穩(wěn)壓電源提供高可靠功率轉(zhuǎn)換支撐.極簡的集成架構(gòu)大幅簡化電源功率集成結(jié)構(gòu),降低整機運行功耗與發(fā)熱,保障設備長時間連續(xù)穩(wěn)定續(xù)航,穩(wěn)壓輸出,提升關(guān)鍵供電設備的可靠性與容錯能力.

4.軌道交通與特種動力設備:完美適配軌道交通牽引動力控制系統(tǒng),列車輔助供電單元,工程機械大功率動力單元,農(nóng)業(yè)特種車輛,工程車載電控系統(tǒng).依托175℃高溫高過載,強抗干擾,高穩(wěn)定的核心特性,輕松應對震動,高溫,高負載,頻繁啟停等復雜嚴苛工況,滿足特種動力設備長時間大功率持續(xù)運行的核心需求.

5.高端工業(yè)大功率電源設備:廣泛應用于工業(yè)高頻開關(guān)電源,大功率整流設備,精密電力調(diào)控設備,工業(yè)特種穩(wěn)壓電源,實驗測試大功率電源.幫助設備廠商精簡硬件結(jié)構(gòu),簡化集成流程,降低功耗溫升,壓縮生產(chǎn)成本,全面提升產(chǎn)品能效,穩(wěn)定性與市場核心競爭力.

五,產(chǎn)品選型核心價值

當前電力電子行業(yè)全面進入小型化,高密化,高效節(jié)能,低成本,高可靠的全新迭代周期,傳統(tǒng)多管并聯(lián)IGBT架構(gòu)因結(jié)構(gòu)繁瑣,功耗偏高,體積龐大,穩(wěn)定性不足等諸多短板,已無法適配新一代高端電力設備的研發(fā)與量產(chǎn)需求.Microchip全新IGBT7雙模塊的重磅推出,以跨越式功率密度升級與一體化集成設計,徹底重構(gòu)大功率電源,逆變,驅(qū)動系統(tǒng)的設計邏輯,為行業(yè)帶來全方位,多維度的核心升級價值:單模塊替代多器件并聯(lián)方案,大幅精簡BOM物料與硬件拓撲結(jié)構(gòu),極大簡化系統(tǒng)集成,電路調(diào)試,生產(chǎn)量產(chǎn)流程;第七代全新芯片工藝大幅降低開關(guān)與導通損耗,實現(xiàn)設備節(jié)能增效,降溫延壽,降本提質(zhì);標準化通用封裝兼容存量設備與新品研發(fā),大幅降低產(chǎn)品升級門檻,縮短研發(fā)周期,壓縮項目投入成本;強悍的高溫高可靠特性適配全場景嚴苛工況,全方位提升設備運行穩(wěn)定性與市場競爭力,是現(xiàn)階段大功率電力電子設備老舊方案升級替換,新品創(chuàng)新研發(fā)的最優(yōu)解決方案.

六,金洛鑫電子Microchip產(chǎn)品專屬服務

深圳市金洛鑫電子有限公司作為Microchip美國微芯晶振官方授權(quán)正規(guī)代理商,長期深耕功率半導體,精密時序器件,工控核心芯片配套領(lǐng)域,專注MicrochipIGBT功率模塊,高端驅(qū)動芯片,航空工業(yè)級高精度晶振,工控主控芯片等全系原裝正品產(chǎn)品供貨與配套技術(shù)服務.公司持有品牌官方正規(guī)授權(quán)資質(zhì),擁有原廠優(yōu)先供貨通道,穩(wěn)定的新品庫存體系,嚴格的原廠品質(zhì)管控標準,所有在售Microchip產(chǎn)品100%原廠可溯源,批次穩(wěn)定,品質(zhì)達標,性能合規(guī).我司長期常備充足現(xiàn)貨庫存,可全方位滿足廣大客戶樣品研發(fā)測試,方案驗證定型,小批量試產(chǎn),大批量項目全年穩(wěn)定量產(chǎn)的全階段供貨需求,從源頭杜絕缺貨,斷貨,貨源不穩(wěn)定,產(chǎn)品品質(zhì)參差等量產(chǎn)風險,為客戶項目穩(wěn)步推進保駕護航.

針對IGBT7功率模塊選型難度大,工況適配嚴苛,功率電路設計復雜,系統(tǒng)集成優(yōu)化難,功耗散熱調(diào)試繁瑣,量產(chǎn)適配門檻高等行業(yè)普遍技術(shù)難點,我司組建了專業(yè)的功率半導體專屬技術(shù)服務團隊,團隊深耕大功率電源,變頻驅(qū)動,新能源逆變,儲能變流領(lǐng)域多年,擁有大量成熟項目落地實戰(zhàn)經(jīng)驗.可為廣大客戶提供精準型號工況選型匹配,大功率系統(tǒng)集成方案優(yōu)化,PCB功率回路布局布線指導,整機功耗與散熱系統(tǒng)調(diào)試,器件參數(shù)適配調(diào)校,量產(chǎn)工藝對接適配,全程售后技術(shù)答疑與故障排查一站式全流程增值服務,精準解決客戶研發(fā)周期長,調(diào)試難度大,方案適配不佳,量產(chǎn)風險高等核心難題,助力客戶快速完成產(chǎn)品研發(fā)定型,穩(wěn)定量產(chǎn)落地,有效降低企業(yè)研發(fā)試錯成本與項目迭代周期.

Microchip全新DualPack3IGBT7雙模塊,憑借第七代先進IGBT芯片制程技術(shù)與創(chuàng)新一體化雙模塊集成架構(gòu),實現(xiàn)了功率密度,系統(tǒng)集成便捷度,能效損耗,工況可靠性,量產(chǎn)適配性的全方位突破性升級,完美解決傳統(tǒng)大功率IGBT功率系統(tǒng)結(jié)構(gòu)繁瑣,集成難度高,整機體積龐大,運行功耗偏高,高溫穩(wěn)定性不足,量產(chǎn)風險大等行業(yè)核心痛點.為工業(yè)變頻驅(qū)動,新能源儲能光伏,軌道交通,大功率電源,特種動力裝備等領(lǐng)域的產(chǎn)品創(chuàng)新升級,節(jié)能改造,小型化迭代提供了強勁可靠的硬件支撐,持續(xù)賦能電力電子行業(yè)高質(zhì)量,高效化,高密化發(fā)展.

如需免費獲取MicrochipIGBT7雙模塊官方詳細規(guī)格書,典型應用電路手冊,大功率系統(tǒng)集成設計指南,功耗散熱優(yōu)化方案,批量采購報價,交付周期說明,或是咨詢一對一專屬工況適配,技術(shù)選型,方案優(yōu)化服務,歡迎隨時來電咨詢,洽談長期戰(zhàn)略配套合作.

咨詢熱線:0755-27837162

深圳市金洛鑫電子有限公司——原裝Microchip品牌正規(guī)代理,以優(yōu)質(zhì)器件+專業(yè)技術(shù)服務,賦能大功率電力電子設備高效集成與創(chuàng)新升級！

微芯科技晶振IGBT7雙模塊重構(gòu)大功率電源系統(tǒng)設計方案

DSC1101CI5-020.0000T	Microchip	DSC1101	MEMS	20MHz
DSC1101CI5-020.0000T	Microchip	DSC1101	MEMS	20MHz
DSC1123CI2-125.0000T	Microchip	DSC1123	MEMS	125MHz
DSC1101CL5-014.7456	Microchip	DSC1101	MEMS	14.7456MHz
DSC1104BE2-100.0000	Microchip	DSC1104	MEMS	100MHz
DSC1123AI2-062.5000T	Microchip	DSC1123	MEMS	62.5MHz
DSC1123AI2-062.5000T	Microchip	DSC1123	MEMS	62.5MHz
DSC1123AI2-062.5000T	Microchip	DSC1123	MEMS	62.5MHz
DSC1103BI2-100.0000T	Microchip	DSC1103	MEMS	100MHz
DSC1103BI2-100.0000T	Microchip	DSC1103	MEMS	100MHz
DSC1103BI2-100.0000T	Microchip	DSC1103	MEMS	100MHz
DSC1121BI2-080.0000	Microchip	DSC1121	MEMS	80MHz
DSC1124CI2-156.2500	Microchip	DSC1124	MEMS	156.25MHz
DSC1124CI5-100.0000T	Microchip	DSC1124	MEMS	100MHz
DSC1124CI5-100.0000T	Microchip	DSC1124	MEMS	100MHz
DSC1124CI5-100.0000T	Microchip	DSC1124	MEMS	100MHz
DSC1101DL5-052.8000	Microchip	DSC1101	MEMS	52.8MHz
DSC1104CI5-125.0000	Microchip	DSC1104	MEMS	125MHz
DSC1001DL5-020.0000T	Microchip	DSC1001	MEMS	20MHz
DSC1001DL5-020.0000T	Microchip	DSC1001	MEMS	20MHz
DSC1001DL5-020.0000T	Microchip	DSC1001	MEMS	20MHz
DSC1001DL5-024.0000T	Microchip	DSC1001	MEMS	24MHz
DSC1001DL5-024.0000T	Microchip	DSC1001	MEMS	24MHz
DSC1001DL5-024.0000T	Microchip	DSC1001	MEMS	24MHz
DSC1123DI2-100.0000B	Microchip	DSC1123	MEMS	100MHz
DSC1123DI2-100.0000B	Microchip	DSC1123	MEMS	100MHz
DSC1123DI2-100.0000B	Microchip	DSC1123	MEMS	100MHz
DSC1123CI1-022.8800T	Microchip	DSC1123	MEMS	22.88MHz
DSC1123CI1-022.8800T	Microchip	DSC1123	MEMS	22.88MHz
DSC1123CI1-022.8800T	Microchip	DSC1123	MEMS	22.88MHz
DSC1123CI2-212.5000	Microchip	DSC1123	MEMS	212.5MHz
DSC1122CI2-103.1250	Microchip	DSC1122	MEMS	103.125MHz
DSC1123CI1-122.8800	Microchip	DSC1123	MEMS	122.88MHz
DSC1103CE1-200.0000T	Microchip	DSC1103	MEMS	200MHz
DSC1103CE1-200.0000T	Microchip	DSC1103	MEMS	200MHz
DSC1103CE1-200.0000T	Microchip	DSC1103	MEMS	200MHz
DSC1103CE1-156.2500T	Microchip	DSC1103	MEMS	156.25MHz
DSC1103CE1-156.2500T	Microchip	DSC1103	MEMS	156.25MHz
DSC1103CE1-156.2500T	Microchip	DSC1103	MEMS	156.25MHz
DSC1122CI1-156.2500	Microchip	DSC1122	MEMS	156.25MHz
DSC1123AE1-125.0000T	Microchip	DSC1123	MEMS	125MHz
DSC1123AE1-125.0000T	Microchip	DSC1123	MEMS	125MHz
DSC1123AE1-125.0000T	Microchip	DSC1123	MEMS	125MHz
DSC1122AE2-156.2500	Microchip	DSC1122	MEMS	156.25MHz
DSC1122BE1-156.2500T	Microchip	DSC1122	MEMS	156.25MHz
DSC1122BE1-156.2500T	Microchip	DSC1122	MEMS	156.25MHz
DSC1122BE1-156.2500T	Microchip	DSC1122	MEMS	156.25MHz
DSC1123AE2-040.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	40MHz
DSC1123AI2-040.0000	Microchip	DSC1123	MEMS	40MHz
DSC1122BI1-100.0000	Microchip	DSC1122	MEMS	100MHz
DSC1122BI2-100.0000	Microchip	DSC1122	MEMS	100MHz
DSC1122BI2-114.2850	Microchip	DSC1122	MEMS	114.285MHz
DSC1122BI2-155.5200	Microchip	DSC1122	MEMS	155.52MHz
DSC1122BI2-156.2500	Microchip	DSC1122	MEMS	156.25MHz
DSC1102BI1-100.0000	Microchip	DSC1102	MEMS	100MHz
DSC1122AI2-150.0000	Microchip	DSC1122	MEMS	150MHz
DSC1001DL5-075.0000	Microchip	DSC1001	MEMS	75MHz
DSC1001DL5-133.3330	Microchip	DSC1001	MEMS	133.333MHz
DSC1101CM1-075.0000	Microchip	DSC1101	MEMS	75MHz
DSC1101CM1-033.3333	Microchip	DSC1101	MEMS	33.3333MHz

正在載入評論數(shù)據(jù)...

上一篇：京瓷智能電表專用聲表面波濾波器定義行業(yè)新標桿

下一篇：微芯晶振高密度電源模塊破解邊緣計算供電核心難題

此文關(guān)鍵字：工業(yè)設備晶振 Microchip進口晶振

姓名：
郵箱：
正文：

資訊中心

金洛博客

微芯科技晶振IGBT7雙模塊重構(gòu)大功率電源系統(tǒng)設計方案

相關(guān)資訊